ترجمه مقاله درایور جدید گیت ساخت مدارهابرای دستگاه های IGBT با حفاظت و جوی پیشرفته


ترجمه مقاله درایور جدید گیت ساخت مدارهابرای دستگاه های IGBT با حفاظت و جوی پیشرفته

ترجمه مقاله درایور جدید گیت ساخت مدارهابرای دستگاه های IGBT با حفاظت و جوی پیشرفته

ترجمه مقاله درایور جدید گیت ساخت مدارهابرای دستگاه های IGBT با حفاظت و جوی پیشرفته در 13 صفحه فارسی ورد قابل ویرایش با فرمت doc به همراه اصل مقاله انگلیسی

مشخصات فایل
تعداد صفحات13
حجم1 کیلوبایت
فرمت فایل اصلیdoc
دسته بندیمهندسی برق
توضیحات کامل

ترجمه مقاله درایور جدید گیت ساخت مدارهابرای دستگاه های IGBT با حفاظت و جوی پیشرفته در 13 صفحه فارسی ورد قابل ویرایش با فرمت doc به همراه اصل مقاله انگلیسی



عنوان فارسی :

درایور جدید گیت ساخت مدارهابرای دستگاه های IGBT با حفاظت و جوی پیشرفته

عنوان انگلیسی :

A New Gate Driver Integrated Circuit for IGBT Devices With Advanced Protections

تعداد صفحات فارسی : 13 صفحه ورد قابل ویرایش

سطح ترجمه : متوسط

شناسه کالا : bree

دانلود رایگان مقاله انگلیسی : http://ofmas.ir/dlpaper/bree.pdf

دانلود ترجمه فارسی مقاله : بلافاصله پس از پرداخت آنلاین 7 هزار و 500 تومان قادر به دانلود خواهید بود .


بخشی از ترجمه :


چکیده
هدف از این مقاله بحث در مورد راه حل های جدید در طراحی گیت  عایق ترانزیستور دوقطبی (IGBT) و درایور گیت با محافظت  پیشرفته مانند دو سطح می باشد  و  به نوبه خود کاهش جریان پیک را  هنگام روشن کردن دستگاه به همراه دارد ، دو سطح به نوبه خود خاموش  شده و برای محدود کردن بیش از حد ولتاژ هنگامی که دستگاه خاموش است، و میلر تابع گیره فعال در برابر پدیده های انتقال متقابل عمل می کنند . پس از آن، ما یک مدار جدید که شامل یک سطح با دو درایور خاموش  و یک تابع گیره میلر می باشد خواهیم داشت . آزمایش و نتایج برای این عملکرد های پیشرفته مورد بحث، با تاکید خاص بر نفوذ در سطح متوسط در دو سطح خاموش درایور  در حد خارج شدن در سراسر IGBT می باشد .






Abstract

The aim of this paper is to discuss new solutions in the design of insulated gate bipolar transistor (IGBT) gate drivers with advanced protections such as two-level turn-on to reduce peak current when turning on the device, two-level turn-off to limit over-voltage when the device is turned off, and an active Miller clamp function that acts against cross conduction phenomena. Afterwards, we describe a new circuit which includes a two-level turn-off driver and an active Miller clamp function. Tests and results for these advanced functions are discussed, with particular emphasis on the influence of an intermediate level in a two-level turn-off driver on overshoot across the IGBT.


توضیحات بیشتر و دانلود


صدور پیش فاکتور، پرداخت آنلاین و دانلود


http://nsarad.ir/?p=3766